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一种单节长旋转ITO靶材烧结制备工艺

时间:2021/9/13 11:40:09 点击:

  核心提示:本发明提供一种单节长旋转ITO靶材烧结制备工艺,通过在烧结炉内的承烧板铺上14层环型素胚垫环,每个环型素胚垫环上下两侧均铺有球型石英砂,形成环型垫进行放置ITO靶筒素胚来进行烧结,解决了单节烧结长度变...
本发明提供一种单节长旋转ITO靶材烧结制备工艺,通过在烧结炉内的承烧板铺上1‑4层环型素胚垫环,每个环型素胚垫环上下两侧均铺有球型石英砂,形成环型垫进行放置ITO靶筒素胚来进行烧结,解决了单节烧结长度变形、开裂问题,在行业技术取得革命性的变化,提升了客户使用良率,降低了成本。

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