核心提示:一种低漏电SiC肖特基二极管及其制作方法,目的是减少SiC肖特基二极管反向漏电流,降低反向阻断损耗,提高电路效率,包括以下步骤:位于碳化硅晶圆正面N+衬底上的碳化硅外延层进行光刻胶涂覆,并光刻出对版标...
一种低漏电SiC肖特基二极管及其制作方法,目的是减少SiC肖特基二极管反向漏电流,降低反向阻断损耗,提高电路效率,包括以下步骤:位于碳化硅晶圆正面N+衬底上的碳化硅外延层进行光刻胶涂覆,并光刻出对版标记;在碳化硅外延层的表面淀积氧化层,通过光刻形成保护环和划片道,在保护环和划片道内进行P型离子注入,再高温退火;在保护环和划片道内淀积场氧化层,并对划片道氧化层进行腐蚀保留;在碳化硅晶圆背面退火完成欧姆接触电极;在碳化硅晶圆正面退火完成肖特基接触电极;在碳化硅晶圆正面淀积或涂覆钝化层,覆盖肖特基接触电极与场氧化层接触的边缘;在碳化硅晶圆背面进行电极金属蒸发,低漏电碳化硅肖特基二极管制作完成。