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半导体存储装置及其制作方法

时间:2021/10/8 10:59:30 点击:

  核心提示:一种半导体存储装置及其制作方法,涉及半导体技术领域。该半导体存储装置包括:衬底;源极结构,形成于衬底上;叠层结构,包括交替层叠设置在源极结构上的氮化层和氧化层;浮置体,形成于氧化层内,浮置体的内部沿叠...
一种半导体存储装置及其制作方法,涉及半导体技术领域。该半导体存储装置包括:衬底;源极结构,形成于衬底上;叠层结构,包括交替层叠设置在源极结构上的氮化层和氧化层;浮置体,形成于氧化层内,浮置体的内部沿叠层结构的层叠方向设置有贯通孔;沟道区,形成于浮置体的内侧,沟道区的内部沿层叠方向也设置有贯通孔,沟道区与源极结构接触;漏极结构,形成于叠层结构在层叠方向的顶部,漏极结构与沟道区接触;栅极结构,形成于沟道区的内侧。本公开可以提高半导体存储装置的集成度。

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