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电容器制造方法技术专利大全01

时间:2020/9/25 9:05:06 点击:

  核心提示:1 电容器及其制造方法(美国-共46页)2 电容器及其制造方法(美国-共14页)3 表面安装的多层电容器(美国-共17页)4 叠层电容器存储单元及其制造方法(美国-共12页)5 薄膜电容器的形成(美国...
 1 电容器及其制造方法(美国-共46页) 
 2 电容器及其制造方法(美国-共14页) 
 3 表面安装的多层电容器(美国-共17页) 
 4 叠层电容器存储单元及其制造方法(美国-共12页) 
 5 薄膜电容器的形成(美国-共64页) 
 6 氮化铌粉及铌电解质电容器(美国-共48页) 
 7 多位沟道电容器(美国-共18页) 
 8 超小型电容器阵列(美国-共18页) 
 9 一种用一连续顶部电极匹配电容器阵列的改进的布局技术(美国-共15页) 
 10 流体可变电容器(美国-共19页) 
 11 形成在半导体衬底上的精密高频电容器(美国-共22页) 
 12 含有硼硅酸钡锂助熔剂的钛酸镁锌粉末和由其制成的多层陶瓷COG电容器(美国-共20页) 
 13 半导体器件的包封金属结构及包括该结构的电容器(美国-共20页) 
 14 制作多晶硅-多晶硅/MOS叠层电容器的方法(美国-共14页) 
 15 电容器结构及其制造方法(美国-共38页) 
 16 用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法(美国-共15页) 
 17 埋入的金属双重镶嵌板电容器(美国-共23页) 
 18 互补金属氧化物半导体工艺中的线性电容器结构(美国-共13页) 
 19 用于同时形成硅上金属电容器的最佳透过注入(美国-共14页) 
 20 改进的高品质因数电容器(美国-共9页) 
 21 改进的小型表面安装电容器及其制造方法(美国-共14页) 
 22 用易处理的硬掩模制作沟槽式电容器(美国-共15页) 
 23 多元件电容器(美国-共8页) 
 24 集成电路上薄膜层中分布的去耦电容器结构及其制造方法(美国-共13页) 
 25 通过采用光滑底电极结构具有改进的存储保持的薄膜铁电电容器(美国-共43页) 
 26 多电极双层电容器(美国-共47页) 
 27 改善电容器矩阵匹配的电容器矩阵布置(美国-共14页) 
 28 金属间电容器及其制造方法(美国-共9页) 
 29 介质电容器的底层电极结构及其制造方法(美国-共36页) 
 30 敷金属膜片电容器及其制造方法(美国-共8页) 
 31 埋层式电容器(美国-共17页) 
 32 使用混合电极的多晶铁电电容器异质结构(美国-共12页) 
 33 包含铝碳复合电极的高性能双层电容器(美国-共19页) 
 34 钽电容器浸渍方法(美国-共24页) 
 35 电容器安装组件(美国-共9页) 
 36 具有金属氧化物电介质的电容器(美国-共32页) 
 37 固/气双层电容器及电存储器件(美国-共18页) 
 38 多层陶瓷电容器的制造工艺(美国-共12页) 
 39 固体电容器的成批生产方法及其制成的电容器(美国-共23页) 
 40 钽固体电解质电容器(美国-共12页) 
 41 一体化微调电容器(美国-共13页) 
 42 高密度动态随机存取存储器(RAM)的槽式电容器的制造方法(美国-共12页) 
 43 带有绝缘环的沟槽式电容器和相应的制造方法(德国-共60页) 
 44 具有外延掩埋层的沟槽电容器(德国-共23页) 
 45 具有高ε介电材料或铁电材料的电容器及其制造方法(德国-共16页) 
 46 在半导体器件内安置在支撑架上的电容器及其制造方法(德国-共15页) 
 47 带有外延隐埋层的沟槽式电容器(德国-共29页) 
 48 带有外延隐埋层的瓶形沟槽式电容器(德国-共29页) 
 49 具有隔离轴环的沟槽电容器(德国-共38页) 
 50 深沟道电容器(德国-共11页) 
 51 电力电容器(德国-共9页) 
 52 较高比电容量的多层电容器(德国-共14页) 
 53 具有改进栓塞电导率的层叠电容器(德国-共10页) 
 54 制造铁电体电容器装置的方法(德国-共8页) 
 55 用于制作具钽酸锶-铋基介质的存储电容器的方法(德国-共7页) 
 56 金属层或金属硅化物层结构化法以及用该法制造的电容器(德国-共13页) 
 57 对温度具有高稳定性的电容器(法国-共24页) 
 58 包括聚合物膜的电容器(法国-共20页) 
 59 电容器(英国-共9页) 
 60 固体电容器的制造(英国-共11页) 
 61 固态电容器及其制造方法(英国-共23页) 
 62 阻抗可控卷绕式电容器(意大利-共11页) 
 63 埋置式电容器的装设方法和用这种方法装设的埋置式电容器(瑞典-共12页) 
 64 集成电路中的电容器(瑞典-共15页) 
 65 应用于压控振荡器的多接头微调电容器(瑞典-共10页) 
 66 用于薄膜电容器的薄膜和薄膜电容器(瑞士-共10页) 
 67 箔型电解电容器(荷兰-共6页) 
 68 热断路器保护自愈电容器及其制造方法(比利时-共9页) 
 69 高压电力电容器(奥地利-共11页) 
 70 制造半导体器件冠式电容器的方法(韩国-共15页) 
 71 使用半球形晶粒硅制造电容器的方法(韩国-共23页) 
 72 制造半导体器件电容器的方法(韩国-共12页) 
 73 用于存储单元的圆柱形存储电容器及其制造方法(韩国-共25页) 
 74 高电介质电容器及其制造方法(韩国-共9页) 
 75 制造动态随机存取存储器单元电容器的方法(韩国-共11页) 
 76 电容器及其制造方法(韩国-共12页) 
 77 表面安装型片状电容器(韩国-共14页) 
 78 用于微波炉磁控管的电容器(韩国-共27页) 
 79 用于制造半导体器件叠层电容器的方法(韩国-共20页) 
 80 半导体器件电容器及其制造方法(韩国-共15页) 
 81 制造半导体器件电容器的方法(韩国-共25页) 
 82 形成集成电路电容器的方法及由此形成的电容器(韩国-共39页) 
 83 制造用于模拟功能的电容器的方法(韩国-共17页) 
 84 具有高介电常数介质层的半导体器件电容器的制造方法(韩国-共21页) 
 85 半导体存储元件的电容器及其制造方法1(韩国-共11页) 
 86 半导体存储元件的电容器及其制造方法2(韩国-共18页) 
 87 半导体存储器件的电容器及其制造方法3(韩国-共30页) 
 88 半导体存储元件的电容器的形成方法(韩国-共17页) 
 89 半导体装置的电容器的制造方法(韩国-共15页) 
 90 使用新材料的电极的超级电容器以及制做方法(韩国-共12页) 
 91 制造用于半导体装置的圆柱型电容器的方法(韩国-共29页) 

 92 半导体器件的电容器制造方法(韩国-共16页)

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